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簡要描述:武漢科思特電化學(xué)工作站CS350M采用全浮地式設(shè)計(jì),具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。
產(chǎn)品型號(hào): CS350M
所屬分類:武漢科思特電化學(xué)工作站
更新時(shí)間:2023-08-02
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
品牌 | 其他品牌 | 電位精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1V |
---|---|---|---|
恒電位范圍 | ±2.0v | 電流范圍 | 2nA~2AmA |
電流精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 電化學(xué)工作站 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
武漢科思特電化學(xué)工作站CS350M采用全浮地式設(shè)計(jì),具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和 功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科 研平臺(tái)。應(yīng)用領(lǐng)域包括:
(1)能源材料(鋰離子電池、太陽 能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等) *功能材料以及傳感器的性能研究;
(2)電化學(xué)分析研究;
(3)電合成、電沉積(電鍍)、陽 氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;
(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐 蝕性評(píng)價(jià);
(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
武漢科思特電化學(xué)工作站CS350M主要技術(shù)指標(biāo):
1、硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位電位控制范圍:±10V
恒電流控制范圍:±2.0A
電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)
電位分辨率:10?V(>100Hz), 3?V(<10Hz)
電流靈敏度:1pA
電位上升時(shí)間:<1?S(<10mA),<10?S(<2A)
參比電輸入阻抗:1012?||20pF
電流量程:2nA~2 A , 共 10 檔
槽壓:±21V
大輸出電流:2.0A CV 和LSV
掃描速度:0.001mV~10000V/s
CA 和 CC 脈沖寬度:0.0001~65000s
電流掃描增量:1mA @1A/mS
電位掃描時(shí)電位增量:0.076mV @1V/mS SWV
頻率:0.001~100KHz DPV 和 NPV
脈沖寬度:0.0001~1000s
AD數(shù)據(jù)采集:[email protected],20bit@1KHz DA
分辨率:16bit,
建立時(shí)間:1?S
CV 的小電位增量:0.020mV IMP
頻率:10?Hz~1MHz
低通濾波器:8 段可編程
電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置
接口通訊模式:USB2.0、RJ45 網(wǎng)口
2、電化學(xué)阻抗功能指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器:
頻率響應(yīng):10?Hz~1MHz
頻率度:0.005%
交流信號(hào)幅值:1mV~2500mV
信號(hào)分辨率:0.1mV RMS
直流偏壓:-10~+10V DDS
輸出阻抗:50?
波形:正弦波,三角波,方波
正弦波失真:<1%
掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降
信號(hào)分析器:
小積分時(shí)間:10mS 或循環(huán)的長時(shí)間
大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者 105S
測(cè)量時(shí)間延遲:0~105秒
直流偏置補(bǔ)償:
電位自動(dòng)補(bǔ)償范圍:-10V~+10V
電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A
帶寬調(diào)整(Bandwidth) : 自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置,共 8 級(jí)可調(diào)
3、儀器功能方法:
穩(wěn)態(tài)化:開路電位測(cè)量(OCP)、恒電位化(I-t 曲線)、恒電流化、動(dòng)電位掃描(TAFEL 曲線)、動(dòng)電流掃描(DGP)、電位掃描-階躍
暫態(tài)化:任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍(VSTEP)、恒電流階躍
計(jì)時(shí)分析:計(jì)時(shí)電位法(CP)、計(jì)時(shí)電流法(CA)、計(jì)時(shí)電量法(CC)
伏安分析:線性掃描伏安法(LSV)#、線性循環(huán)伏安法(CV)、階梯循環(huán)伏安法(SCV)#、 方波伏安法(SWV)#、差分脈沖伏安法(DPV)#、常規(guī)脈沖伏安法(NPV)#、 常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)#、差分脈沖電流檢測(cè)法(DPA)、雙差分脈沖電 流檢測(cè)法(DDPA)、三脈沖電流檢測(cè)法(TPA)、積分脈沖電流檢測(cè)法(IPAD)、 交流伏安法(ACV)#、二次諧波交流伏安(SHACV)、傅里葉變換交流伏安 (FTACV)(標(biāo)#號(hào)的方法包括相應(yīng)的溶出伏安分析方法)
交流阻抗:電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描、電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗 (EIS)~電位掃描(Mott-Schottky 曲線)、恒電流阻抗測(cè)試
充放電測(cè)試:電池充放電、恒電流充放電、恒電位充放電、恒電流間歇滴定 GITT、恒電位 間歇滴定 PITT
擴(kuò)展測(cè)量:電化學(xué)噪聲(EN)、電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、電化學(xué)溶解/沉積、控制電位電解 庫侖法(BE)、溶液電阻測(cè)量、循環(huán)化曲線
4、儀器配置:
1)儀器主機(jī) 1 臺(tái)
2)測(cè)試與分析軟件 1 套
3)電源線/USB 數(shù)據(jù)線/電電纜線各 1 條
4)模擬電解池 1 個(gè)