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光電催化技術(shù)與基礎(chǔ)應(yīng)用

更新時(shí)間: 2022-09-02  點(diǎn)擊次數(shù): 1407次

 

光電催化是光催化與電催化的結(jié)合,可將兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。 

與光催化相比,光電催化反應(yīng)中,光電可利用太陽光照射產(chǎn)生光生電子,提高反應(yīng)活性和催化效率。 

與電催化相比,光電催化反應(yīng)大大降低了外部能量的注入,可有效減少能源消耗和環(huán)境污染。 

光電催化還可以將因能帶結(jié)構(gòu)的失配而不適用于光催化的催化劑,在適當(dāng)?shù)耐饧与妷簵l件下適用于光電催化。

光電催化反應(yīng)可根據(jù)反應(yīng)物質(zhì)和反應(yīng)類型的不同,分為光電催化分解水制氫、光電催化降解、光電催化二氧化碳還原、光電催化氮還原合成氨等等。

光電催化反應(yīng)過程是在有光照射作用下的電化學(xué)過程,是因吸收光使電子處于激發(fā)狀態(tài),產(chǎn)生電荷傳遞的過程。由于半導(dǎo)體材料存在禁帶,價(jià)帶電子與導(dǎo)帶電子之間的相互作用很弱,受到光的激發(fā)以后,半導(dǎo)體的價(jià)帶電子進(jìn)入導(dǎo)帶,并在價(jià)帶留下空穴,引發(fā)光電化學(xué)反應(yīng)。

光電催化反應(yīng)池.jpg

圖1. 三種常見的光電催化反應(yīng)池 (a)光陽光電催化反應(yīng)池;(b)光陰光電催化反應(yīng)池;(c)串聯(lián)光電催化反應(yīng)池

三電反應(yīng)器.jpg

光電催化是光催化與電催化的結(jié)合,可將兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。 

基于半導(dǎo)體材料的光電催化反應(yīng)池主要包含四個(gè)部分: 

1. 光電:也稱工作電,是光電催化反應(yīng)池中的核心部件,由用于捕獲光能量的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。 

一般情況下,將n型半導(dǎo)體薄膜/導(dǎo)電基底稱為光陽,p型半導(dǎo)體薄膜/導(dǎo)電基底稱為光陰。 

常見的光電制備方式是將光電半導(dǎo)體材料附著于氧化銦錫(ITO)或摻氟氧化錫(FTO)等有著較低功函數(shù)的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃上,將光電夾持在如圖2(a)所示的電夾具上使用。 

2. 對(duì)電:若只研究單一光陽或光陰時(shí),需要引入對(duì)電來充當(dāng)另一半的半反應(yīng)場(chǎng)所。對(duì)電通常選用具有良好電荷傳輸性能和較低反應(yīng)過電勢(shì)的材料,一般為Pt電,如圖2(b)所示。 

3. 參比電:為確保施加在光電上的電位準(zhǔn)確穩(wěn)定,通常會(huì)加裝參比電,將整個(gè)光電催化反應(yīng)池構(gòu)建成三電體系。參比電可選擇Ag/AgCl電、Hg/Hg2Cl2電或Hg/HgO電,如圖2(c)所示。 

4. 適當(dāng)?shù)碾娊赓|(zhì)溶液:電解質(zhì)溶液在光電催化反應(yīng)反應(yīng)池中起聯(lián)通電路的作用,需要具有良好的離子電導(dǎo)率。

根據(jù)光電催化反應(yīng)中光電材料性質(zhì)的不同,電解質(zhì)溶液的pH值和構(gòu)成電解質(zhì)溶液的離子類型也不盡相同。 

在選擇電解質(zhì)溶液時(shí)需要注意的是,要確保所選的電解質(zhì)溶液不與所選用的參比電發(fā)生反應(yīng)。 

電解質(zhì)溶液可分為三種:

 1)酸性電解質(zhì)溶液:H2SO4溶液等; 

2)中性電解質(zhì)溶液:Na2SO4溶液、K2SO4溶液等; 

3)堿性電解質(zhì)溶液:NaOH溶液、KOH溶液等。

電.jpg

圖2. (a)電夾具;(b)Pt電;(c)Hg/Hg2Cl2電;(d)Ag/AgCl電

 

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